欧洲一区二区-欧美激情一区二区-国产激情在线-欧美在线一区二区

GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT不是種寬帶網單晶體管集成塊，造成DC-3.5 GHz做工做做好了優化系統。該器材搭載CW，脈寬和平滑做工做，傷害工作效率為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150異常運用在于民防通信網絡，陸上中移動無限電，飛防網上機器設備，無限理論知識體系，ISM運用和VHF / UHF / L / S股票波段雷達天線。用到SIGANTIC®制作工藝生產加工 - 這種專有的GaN-on-Silicon枝術。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

如若您需要購買MATR-GSHC03-160150，請點擊右側客服聯系我們！！！

特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是全球排名獨一的用于在微波射頻用于的GaN on Si加工過程生產商。當你們在Si RF功效納米線管貨品的上具備豐富的連續式波（CW）GaN，有所作為分立元器和板塊，制定工作任務在DC至6 GHz。當你們的高功效CW和線型納米線管是商用航空公司電子廠生產設備，通信網，網，長輸入脈沖統計相應加工過程，科學實驗和整形用于的不錯選澤。當你們的貨品的整合用于了MACOM已超60年的傳統意義，如果用GaN on Si加工過程具備細則和訂制處理好細則，以需要滿足顧客最苛責的要求。當你們的GaN on Silicon貨品的，用于分立納米線管和集成型放縮器，用于0.5納米HEMT加工過程，在功效，增加收益值，增加收益值非常平整度，使用率管理方面行為 出非常好的RF使用性能，