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?PXAE263708NB-V1 S光波大功效頻射LDMOS場相互作用多晶體管

發布的時刻:2024-11-04 16:57:13     閱讀:668

PXAE263708NB-V1是CREE的一件400瓦(P3dB)LDMOS FET,應用領域于2620至2690 MHz頻段的多規范標準蜂窩狀最大功率放縮器的技術技術。包括輸出精度輸出精度更換;高增加收益甚至包括無突緣的熱增加芯片封裝主要形式。PXAE263708NB-V1適用特殊的LDMOS工序工藝;PXAE263708NB-V1都具有正常的熱不穩性和表現出色的健康效果。

PXAE263708NB-V1.png

物品規格參數

表述:高馬力RFLDMOS FET400W(P3dB);28v;2620-2690MHz

保底幾率(MHz):2620

最高的率(MHz):2690

P3dB輸出熱效率(W):400

增益值(dB):13.5

錯誤率(%):47

額定負載端電壓(V):28

芯片封裝類屬:朔膠

二極管封裝類型:二極管封裝類型方式分立多晶體管

技術工藝:LDMOS

功能

光纖寬帶內外輸出的輸出的更換

非對稱性性Doherty構思:主P1dB=140W典型案例值;高值P1dB=260 W典型案例值

關鍵的脈沖激光CW性狀;2655MHz;28v;多爾蒂構型;AB類:P1dB=200W時的傷害額定功率;P3dB=400W時的導出功率;質量=49%(POUT=57 W標準差);增加收益=15 dB(POUT=57 W平均值)

就能夠進行處理32 V時10:1的VSWR;100 W(CW)打印輸出電功率

一體化化ESD保護好

無鉛并夠滿足RoHS規則

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