欧洲一区二区-欧美激情一区二区-国产激情在线-欧美在线一区二区

GTRB204402FC/1是CREE的一臺350瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子器材遷址率氯化鈉晶體管（HEMT），專業專注于多規定蜂窩狀工率拖動器工藝軟件應用需要量來設計。GTRB204402FC應具便捷率和無軸環的熱增進裝封。

產品設備型號

結合：SiC HEMT上的高熱效率RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

低率（MHz）：1930

最大頻帶寬度（MHz）：2020

P3dB傷害耗油率（W）：350

增益值值（dB）：16.3

優質率（%）：58

額定功率相電壓（V）：48

封裝形式行業類別：Earless

裝封：裝封分立尖晶石管

的技術：SiC上的GaN

表現

典型性的單脈沖CW性能方面，2020 MHz，48 V，10μs脈沖激光間距，10%pwm占空比，組合式讀取

P3dB=350W時的導出電率

P3dB時的高效、性價比最高率=65%

嫩模整治1C級（利用ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并提供RoHS規范標準

東莞市立維創展信息技術不足平臺代理權經售CREE徽波電子元件，假如需求購CREE成品，請彈框右測人工客服連系企業！！！