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GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高光電知識率多晶體管（HEMT），APP在多規則蜂窩狀工作電壓變成器技術用APP。GTRB226002FC-V1擁有極有效率化和無軸環的熱加強封裝手段手段。

物料規模

分析：SiC HEMT上的高額定功率RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

最低標準頻段（MHz）：2110

高頻繁 （MHz）：2200

P3dB打出工作電壓（W）：450

收獲值（dB）：15

有效率（%）：60

特證

主要表現的脈沖信號CW穩定性：10μs脈沖激光長寬比，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty工裝夾具高效率=65%

增加收益值=14dB

P3dB=450W時的輸出馬力

超模模形1B級（會根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低傳熱系數

無鉛并夠滿足RoHS標準規范

GaN基SiC HEMT技巧

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