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WS1A2639-V1-R3K是CREE的四款非對稱性多赫蒂馬力變大器功能模塊（PAM），將GaN on SiC技能操作和現今化的適合和偏置的電壓網路結合在提供一個蒸發器系統化的四層層壓材料上。WS1A2639-V1-R3K聲音頻率空間在2496 MHz至2690 MHz。同時實用更高50V的外接電源額定電壓；平均輸出精度耗油率準則為6至8 W，最底值細胞回落，自然數預失真正LTE和5G NR統計資料訊號，瞬時服務器帶寬高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K被封號裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）芯片封裝中。

護膚品規模

介紹：38.5dBmGaN on SiC輸出功率增加器包塊；2496-2690MHz

最低值頻段（MHz）：2496

較高工作頻率（MHz）：2690

P3dB讀取工作電壓（W）：50

收獲值（dB）：16.5

學習效率（%）：57

功率電壓值（V）：48

封裝形式等級分類：外面貼裝

封裝：封裝分立晶胞管

技能應用領域：SiC上的GaN

的特征

GaN基SiC技術工藝利用

從功率器件兩邊居多導和最多值子放小器必備柵極偏置電流電壓電壓

集成化化諧波數據終端

無鉛并無法RoHS細則

推見的驅動包安裝使用是WSGPA01

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