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GTRB246608FC-V1是CREE的一臺500瓦（P4dB）的SiC上GaN高電子器件搬遷率晶狀體管（HEMT），銳意創新于多標準規范蜂窩狀熱效率增加器技術應用標準制定。GTRB246608FC-V1提供有成功率率和無軸環的熱提高封裝形式。

成品品種

舉例說明：高耗油率RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

很高頻帶寬度（MHz）：2400

增益控制（dB）：15.7

封裝類型行業類型：Earless

特殊性

典型性智能CW功效，2400 MHz，48 V，10μs電磁概率，10%占空比，團體傷害

P4dB=600 W時的讀取馬力

P4dB=60%時的速度

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