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?四代650 V裸片SiC MOSFET

披露時刻：2025-01-03 16:57:39     預覽：630

行業界超1流導通電阻值和旋轉開關不足，要做到最好特性和最大功率比熱容參數設置。

Wolfspeed表明第3代650 V SiC MOSFET擴大了其氫氟酸處理硅（SiC）新技術上的主導型社會價值。在更多方位的供電公司系統性中滿意體積更小、總重更輕、更加高效的供電公司轉變成。650 V SiC MOSFET是功效有遠見化工業主機電源、保障器/鐵通互聯網外接電源、新生物質能源電動三輪車（EV）手機充電試驗裝置、微電網設備、應急處置開關電源（UPS）和電池維護控制系統等功能鍵的適宜使用。

顯著特點

超高溫環境的低導通電阻值

低寄生菌濾波電容

滿足較低逆向恢復過來的有效率穩壓管

維持常溫控住（Tj=175°C）

MOSFET.png

優勢

依據進行調節控制開關和接入衰減加快機械成功率

達成高轉換開關頻繁遠程操作

增強軟件級工率強度因素

大大減少保護裝置尺寸；載重量；和冷卻后標準

典型示范APP

工業化的電源適配器

服務的器/電信網網洛

新發熱能源手機汽車充電樁部件

儲能技術設備（ESS）

應及電源線（UPS）

動力電池監管設計（BMS）

CREE科銳于2017年分離法出微波加熱rf射頻國產品牌Wolfspeed，以寬帶網絡、大額定功率調大器車輛為地方特色。

山東市立維創展網絡是CREE的生產商商，有著CREE徽波元件優缺點供應商的渠道，信貸有保障行貨行貨。

*部份尺寸需申報俄羅斯外貿出口準許。商品詳情理解較多尺寸，熱烈歡迎諮詢立維創展！


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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