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描述
AMCOM的AM012WN-Bi-R就是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極總寬為1.25mm。它是在工業陶瓷廠家BI芯片裝封類型，啟動將高達10千兆赫。BI國產選擇特異設計構思的工業陶瓷廠家芯片裝封類型，還具有可以彎曲的（Bi-G）或直（BI）引線的安裝使用手段。芯片裝封類型底的蝶閥法蘭直接有所作為直流電一定接地線、頻射一定接地線和熱路。這部電視劇分是達到RoHS規則的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM012WN-BI-R	1周	50

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特征
高達10 GHz的高頻操作
增益＝17dB，p5dB＝37 dBm，PAE＝51%，漏＝55% @ 2.8 GHz。
表面貼裝
更有效導熱的邊側

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機