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描述
AMCOM的AM00 5MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙全系例的一步分。HIFET是位置匹配好的國家專利的設備設備，中用高的電壓、高額定運作效率和寬帶網運用。該集成電路芯片的總集成電路芯片周邊為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高額定運作效率微波加熱運用而制定的，運作聲音頻率更是高達6 GHz。它也是更強額定運作效率集成電路芯片的理想型帶動器。BI全系例利用的比較特殊制定的淘瓷芯片二極管封裝，具可以彎曲的或水平線的引線裝方法。芯片二極管封裝邊側的蝶閥法蘭此外作整流與地面、微波射頻與地面和熱路。這位置是包含RoHS標準規定的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM005MH2-BI-R	1周	130

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特征
14伏排水拜厄斯
寬帶部分匹配：直流-2.4GHz
?高達6 GHz的高頻操作
高增益：G＝15dB @ 3.5GHz
高功率：P1dB＝25dBm @ 3.5GHz
高平滑度：IP3＝40dBm @ 3.5GHz

應用
寬帶應用
高電壓10至14V
無線本地環路網絡
PCS基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信