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描述
AMCOM的AM010MH4-Bi-R是雙系統作品GaAs HIFET的一臺分。HiFET是高壓低壓、高最大瓦數、高非線性和帶寬應用領域的區域搭配著作權的設備性能。該元件的總元件外場為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高最大瓦數微波通信應用領域而設計構思制作的，工作中率多達3GHz。BI系統作品采取另一種特別的設計構思制作的工業陶瓷芯片封裝，具備彎曲成或垂直線的引線和凸緣組裝辦法。芯片封裝底端的活套法蘭一起成為交流電保護接地極、rf射頻保護接地極和熱路。這些HiFET是包含RoHS規格的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM010MH4-BI-R	1周	50

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特征
25V漏極偏壓
寬帶部分匹配：直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益：g= 19dB@ 2.0GHz
高功率：P1dB＝31 dBm @ 2.0GHz
高線性度：IP3＝46dBm @ 2.0GHz
使用于有效地水冷的陶瓷圖片封裝

應用
寬帶應用
高電壓20～28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信