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HMC635是一個款GaAs PHEMT MMIC驅使變成器裸片，做工作中頻次比率為18至40 GHz。 該變成器提拱19.5 dB的增益控制控制，+29 dBm所在IP3及+23 dBm的所在馬力（1 dB增益控制控制縮小時），額定功率為280 mA（+5V電源開關）。 HMC635是最合適為微波加熱有線電采用的驅使變成器，或充當做工作中頻次比率為18至40 GHz的混頻器LO變成器，可提拱多達+24 dBm的飽合所在馬力(15% PAE)。 隔直變成器I/O內部結構篩選50 Ω，是最合適集成化到多處理電子器件板塊(MCM)中。 各種處理電子器件數據顯示均使用處理電子器件更改，其完成兩長為500 μm的1 mil線焊接入輸入和所在RF服務器端口。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC635 HMC635-SX	驅動放大器芯片，18 - 40 GHz	現貨	267

HMC635應用

• 點對點無線電
• 點對多點無線電和VSAT
• 混頻器用LO驅動器

• 軍事和太空

HMC635優勢和特點

• 增益： 19.5 dB
• P1dB: +23 dBm
• 輸出IP3： +29 dBm
• 飽和功率：
  +24 dBm (15% PAE)
• 電源電壓： +5V (280 mA)
• 50 Ω匹配輸入/輸出<
• 裸片尺寸： 1.95 x 0.84 x 0.10 mm

HMC635結構圖