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JP503AS是一個低剖面，高性能的3dB混合耦合器在一個易于使用，制造友好的表面安裝包。它是為W-CDMA和其他3G應用而設計的。JP503AS是為平衡放大器、可變移相器和衰減器、低噪聲放大器、信號分配而設計的，是無線工業日益增長的小型印刷電路板和高性能需求的理想解決方案。零件經過嚴格的鑒定測試，并使用熱膨脹系數（CTE）與常見基板（如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺）兼容的材料制造。采用6/6符合RoHS標準的浸錫處理。

JP503AS有特點：

2.0–2.3千兆赫。

3G規律

低損耗率

高隔離開度

90°正交

外面貼裝

磁帶和卷盤

無鉛

100%自測

JP503AS比較重要運作

幾率（GHZ）：2.0 - 2.3

馬力（W）：25

回波消耗的資金（dB）：20.8

添加損耗費（dB）：0.30

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