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 HMC637BPM5E是一個款砷化鎵(GaAs)、單融合ic微波加熱融合電源電路(MMIC)、假晶高電子元器件挪動率晶狀體管(pHEMT)、級聯劃分式瓦數增加器，在順利運轉時可做到自偏置且兼有IDQ供選擇偏置掌控和增加收益控制值調整。該增加器的運轉頻繁范圍圖為DC至6 GHz，保證15 dB小信息增加收益控制值、27.5 dBm傷害瓦數（1 dB增加收益控制值減小）、40 dBm典例傷害IP3和4 dB低頻噪音平均值，通過VDD 12 V電原電流時能耗為335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz區域內的增益控制十分平整光滑度（類型值±0.5 dB時）最為經驗豐富，為此最為最適合美國軍事、太空站和軟件測試產品應運。HMC637BPM5E還兼備內部切換至50 Ω的發送/內容輸出(I/O)，使用符合要求RoHS規格的5 mm × 5 mm LFCSP預制構件空腔封裝，可與高使用量表貼方法(SMT)裝配工產品兼容。

HMC637BPM5E結構圖

HMC637BPM5E應用

• 軍事與太空
• 測試儀器儀表

HMC637BPM5E優勢和特點

• P1dB輸出功率：27.5 dBm（典型值）
• 增益：15 dB（典型值）
• 輸出IP3：40 dBm（典型值）
• 在VDD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，VGG1（針對IDQ調整）和VGG2（針對增益控制）具有可選偏置控制
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝：25 mm2