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CREE的CMPA1D1E025F是款增碳硅多晶硅上只能根據氮化鎵 (GaN) 高網絡轉遷率結晶體管 (HEMT) 的單面微波通信一體化電路設計 (MMIC)；選擇 0.25 μm 柵極尺碼做成工藝設備。與硅比較較，GaN-on-SiC還具有更比較好的安全性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；涉及到更加高的熱擊穿場強；更加高的飽和點微電子漂移吸收率和更加高的導熱性指數公式。CMPA1D1E025 選購 10 電纜線；25 mm x 9.9 mm；合金/工業陶瓷法蘭片盤封裝形式可以建立最佳的電力設施和熱不穩相關性性。

結構特征

24 dB 小無線信號增加收益值

40 W 類型激光脈沖訊號 PSAT

額定的電壓電流高至 40 V

OQPSK 下 20 W 平滑輸出

A/B類高收獲；提高學習效率率 50 Ω MMIC Ku 速率段高工作電壓變大器

操作行業領域

軍民融合用和商用廚房 Ku 波長汽車雷達

品牌尺寸規格

闡述：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 股票波段 GaN MMIC 最大功率增加器

比較低頻率(MHz)：13500

最大的頻率(MHz)：14500

更高值的輸出耗油率(W)：25

增加收益值(dB)：26.0

的工作使用率（％）：16

特殊輸出功率(V)：40

型：封口的MMIC

二極管封裝類目：活套法蘭盤

方法：GaN-on-SiC

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