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CREE的CMPA1D1E030D是款氫氟酸處理硅多晶硅上可根據氮化鎵 (GaN) 高電子設備知識率硫化鋅管 (HEMT) 的單面微波射頻智能家居控制控制電路 (MMIC)；CMPA1D1E030D所用0.25μm柵極寸尺工藝新技術新技術。與硅相較較，GaN-on-SiC擁有愈發優秀的特點；砷化鎵或硅基氮化鎵；包函高些的損壞場強；高些的飽和網上漂移使用率和高些的傳熱指數公式。

本質特征

27 dB 小走勢收獲值

30 W 典范 PSAT

做工作直流電壓高至 40 V

高熱擊穿場強

高溫環境度反控

應運范圍

通信設備衛星通信設備上行下行鏈接

護膚品規格

描寫：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 馬力增加器

低于規律(MHz)：13750

更高幀率(MHz)：14500

最大值輸出電率(W)：30

增加收益值(dB)：26.0

熱效率（％）：25

作業電壓電流(V)：40

形態：MMIC 裸片

封口類目：Die

能力：GaN-on-SiC

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