欧洲一区二区-欧美激情一区二区-国产激情在线-欧美在线一区二区

描述
AMCOM的AM025WN-Bi-R不是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極橫向為2.5mm。它在陶瓷制品廠家打包打包二極管封裝中正常運作多達8 GHz。BI類型在使用唯一性構思的陶瓷制品廠家打包打包二極管封裝，具有著變形（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方試。打包打包二極管封裝下方的法蘭部時候有所作為直流電源地線、頻射地線和熱路。這一的部分是適合RoHS的標準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM025WN-BI-R	1周	50

如若您需要購買AM025WN-BI-R，請點擊右側客服聯系我們！！！

特征
高達8 GHz的高頻操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏極＝56% @ 3 GHz。
表面貼裝
有效的散熱性能的底下

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機