S頻譜高增加收益高瓦數砷化鎵場效用晶胞管AM120MH2-BI-R
分享日期:2018-11-05 15:21:31 查詢:1633
描述
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙產品作品的是一部份。HIFET是部份匹配好的申請機器設備標配置,廣泛用于高整流電壓、高電耗油率和帶寬運用。該集成電路芯片的總集成電路芯片外場為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高電耗油率紅外光運用而制定的,工作中次數可高達6GHz。BI產品作品選取種特殊的制定的工業陶瓷二極管打包封裝,含有微彎或垂線的引線裝形式。二極管打包封裝上端的法蘭盤一起看做整流與地面、頻射與地面和熱路。這些HiFET是按照RoHS標的。
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品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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AM120MH2-BI-R
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1周
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80
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特征
14伏
高達6 GHz的高頻操作
高增益:g= 14dB@ 2GHz
高功率:P1dB=39 dBm @ 2GHz
高線性度:IP3=49 dBm @ 2GHz
使用于有用排熱的陶瓷廠家封裝形式
應用
寬帶應用
高電壓10~14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信