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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低添加圖片表格和回到耗費巴倫箱式變壓器，由不均衡性電機定子和中抽頭均衡性電機定子組成部分的均衡性環，雙邊傳承額定功率，一個目標方向篩選。North Hills巴倫斯精密機械市政工程低添加圖片表格和回波耗費。優異的均衡性是能夠確定性軸對稱的型式來推動的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447高水準頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫打造了在線測量集成運放特征參數至1.2GHz的簡潔明了和可以直接的的辦法。高水準頻巴倫配比任意路徑的電位差，如果為低放入和回波耗損做了高精度定制。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫箱式變壓器，通常不同的用途1千赫茲- 125兆赫，由不靜態發展電機定子和中心的抽頭靜態發展電機定子組成的的靜態發展環，縱向傳送效率，一個角度適應。北山巴倫斯高精度建設工程低添加圖片和回波耗費。卓越的靜態發展是依據其內在軸對稱的結構設計來變現的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L波長直流超高壓砷化鎵場邊際效應多晶體管AM010MH4-BI-R，HiFET是直流超高壓、高熱效率、高波形和聯通寬帶技術軟件的一部分輸入高新產品機配備。該元器的總元器周邊為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高熱效率紅外光技術軟件而方案的，本職工作頻點達到3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 Sk線高收獲高瓦數砷化鎵場不確定性結晶體管AM120MH2-BI-R，HIFET是個部分配對的專利局機分配，利用于高電壓降、高瓦數和聯通寬帶利用。該元電子元件裝封的總元電子元件裝封內圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高瓦數微波射頻利用而構思的，本職工作平率高至6GHz。BI類別選用屬于層次性構思的瓷器裝封，具備有打彎或垂直線的引線配置策略。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L波長砷化鎵場負效應結晶管高電壓電流高耗油率和帶寬操作AM010MH2-BI-R，該集成電路芯片的總集成電路芯片外邊為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高耗油率微波加熱操作而設計的的，任務頻帶寬度敢達6GHz。BI類型利用另一種特種設計的的瓷磚封裝類型，具有著拉伸或漸漸的引線安裝使用手段。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X光波低嗓聲增加器IC芯片是嗓聲標準值很低的增加器。一半用在各樣無線網電接受機的高頻率或中頻置于標題前增加器，同時高靈敏性度電子技術測探的設備的增加電路板。在增加薄弱警報的地方，增加器企業自身的嗓聲對警報的干攏應該管得嚴重，那么還望縮減這樣的嗓聲，以增進所在的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C中波段PCS基站環保設備航天光電通訊技術AM005MH2-BI-R。HIFET是位置搭配的專利技術環保設備性能，使用于高端電壓、高工率和光纖寬帶選用。該器材的總器材外層為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高工率微波加熱選用而結構設計的，運作頻率將高達6 GHz。它也是更廣工率器材的夢想變頻器器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S股票波段頻射砷化鎵場效用功效管AM300MX-CU-R，這有一部電影分的總道閘參數為30mm。AM300 MX-CU-R是為高功效徽波應用領域而設汁的，崗位速率自由高達6GHz。Cu類別利用另外一種特出設汁的瓷器芯片裝封，擁有懸垂的引線和凸緣的安裝使用的方法。芯片裝封底端的法蘭部直接用于直流變壓器等電位連接、頻射等電位連接和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S股票波段高電率微波通信通信微波通信微波射頻晶狀體管AM200MX-CU-R，這那局部的總閘門啟閉機總寬為20mm。AM200 MX-CU-R是為高電率微波通信通信采用而設定的，作業聲音頻率敢達6GHz。Cu款型也是種個性化設定的工業陶瓷二極管芯片封裝，具直線行駛式引線和凸緣連接式。二極管芯片封裝側面的活套法蘭與此同時成為整流與地面、微波通信微波射頻與地面和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C中波段VSAT砷化鎵場現象工率管AM150MX-CU-R ，這那要素的總柵極屏幕寬度匹配為15mm。AM150 MX-CU-R是為高工率微波射頻軟件而來設計的的，事業速率高達到6GHz。Cu款型就是一種特殊化來設計的的陶瓷制品封口，具備線條式引線和凸緣安裝程序式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 Lk線Sk線大耗油率砷化鎵耗油率場反應尖晶石管AM100MX-CU-R，這部件的總柵極尺寸為10mm。AM100MX-CU-R是為高耗油率紅外光選用而制定的，工做頻點可高達6GHz。Cu品類是一個種比較特殊制定的瓷質封口，具備蹭蹭蹭蹭式引線和凸緣安裝程序式。封口底的卡箍互相對于交流電跨接、頻射跨接和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P波長高電工作電壓徽波廣泛運用砷化鎵MESFET集成電路芯片AM072MX-CU-R，這不分有顆個全面、明確的探索7.2mm門的參數。在AM072MX-CU-R是及時規劃的采用高電工作電壓徽波廣泛運用，控制到6GHz。探索銅產品系列的照片視頻，是在一名及時規劃的淘瓷產品包裝與直導和Cu / W的蓋在一名下拉的連接策略。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L股票光波S股票光波高電機功率徽波應運制定頻射尖晶石管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 Ck線Sk線rf射頻尖晶石管AM036MX-QG-R，這一本分的總柵極長寬為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高工率徽波廣泛應用而設計的，作業速度高達獨角獸6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 Lk線Sk線rf頻射單晶體管拖動器AM024MX-QG-R ，這1部件的總柵極寬為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高電機功率微波加熱廣泛應用而設計的概念的，工作上頻次到達6GHz。QG產品系列是一個個pp塑料打包封裝類型，一切引腳微彎的表層安轉調性的PC板。打包封裝類型的底邊還做直流電壓接地裝置極、rf頻射接地裝置極和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 Sk線Pk線晶狀體管AM012MX-QG-R，這一款分的總柵極厚度為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高輸出微波加熱app而來設計的，做工作速率可高達6GHz。QG國產是一個個塑膠片封裝，所有的引腳內彎的接觸面施工調性的PC板。封裝的左下角一同算作直流變壓器等電位連接、頻射等電位連接和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 Lk線Sk線頻射結晶管AM006MX-QG-R，這就是一部件的總柵極總寬為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高工率微波加熱APP而設定的，任務頻段高達到6GHz。QG系列的就是一個材料打包裝封，很多引腳彎折變形的表面上安裝程序復古風的PC板。打包裝封的頂端一起看做交流電一定接地極、頻射一定接地極和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku股票波段rf射頻氯化鈉晶體管圖像運放電路AM005WN-00-R，其總柵極厚度為0.5mm。這只是同一個裸模，能夠程序運行到18千兆赫。它能夠提拱關鍵的飽合工作效率為33.4 dBm。它用于于低躁聲、高情況位置的考慮機和高工作效率導彈發射機的驅動軟件器。一一部分是適用RoHS標準化的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 X股票波長Ku股票波長微波射頻納米線管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S光波C光波X光波Ku光波K光波分布點式低背景噪音縮放器集成電路芯片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K光波）GaN低背景噪音縮放器MMIC，。該光纖寬帶配件愈來愈適當需要低背景噪音數值功效和高放入耗油率發展意識的選用。CMD290提拱12.5 dB的增益值，相關聯的背景噪音數值為2.3 dB，13 GHz時的打出1 dB擠壓點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低噪音風機污染變成器CMD163俄羅斯在軍事K股票波段低噪音風機污染變成器處理器，有的是款高動態數據使用范圍GaAs MMIC低噪音風機污染變成器，極其不適使用俄羅斯在軍事，環境和通信模式模式，在當中小尺寸圖和高波形度是至關重要來設計需求。該元器件封裝面對21 GHz通過了升級優化，可提拱低于24 dB的增益值，此類的輸入輸出1 dB解壓縮點為+19 dBm，燥聲污染比率為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 C中波段VSATrf射頻單晶體管AM025WN-00-R，其總柵極長度為2.5mm（二個1.25mm的FET串并聯）。這也是其中一個裸模，行程序運行到15千兆赫。它行展示 一般的過飽和工作效率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 X中頻譜Ku中頻譜微波射頻結晶體管AM100WN-00-R，其總柵極長度為10mm（兩點1.25mm的FET串聯）。就是同一個裸模，可不應該正常運行到15千兆赫。它可不應該具備典型案例的達到飽和狀態工作效率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 Xk線Kuk線頻射晶胞管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 X頻譜rfrf微波射頻結結晶體管C頻譜rfrf微波射頻結結晶體管AM005WN-BI-R，其總柵極橫向為0.5mm。它在淘瓷打包二極管封裝類型中程序運行多達12 GHz。BI系類適用特有設計方案的淘瓷打包二極管封裝類型，包括內彎（Bi-G）或直（BI）引線的安裝使用原則。打包二極管封裝類型下方的活套法蘭時身為直流變壓器地線、rfrf微波射頻地線和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 X股票波段微波rf射頻納米線管AM012WN-BI-R，有的是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極總寬為1.25mm。它是在瓷磚BI裝封，自動運行高至10千兆赫。BI系例采用層次性定制的瓷磚裝封，擁有內彎（Bi-G）或直（BI）引線的重新安裝的方法。裝封側面的法蘭盤而且最為直流電源接地系統系統、微波rf射頻接地系統系統和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 C頻譜rfrfrf射頻尖晶石管S頻譜rfrfrf射頻尖晶石管AM025WN-BI-R，都是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極：寬度為2.5mm。它在瓷器廠家封裝形式類型形式中應用led光通量8 GHz。BI國產應用異常設計的的瓷器廠家封裝形式類型形式，具備有內彎（Bi-G）或直（BI）引線的重新安裝行為。封裝形式類型形式尾部的法蘭部同樣做直流電源跨接、rfrfrf射頻跨接和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 P光波L光波高輸出紅外光選用AM100WN-CU-R，一個部份的總柵極長度為10豪米。AM100WN-CU-R是好一點為高輸出紅外光選用結構設計的，操作頻點電動車續航6GHz。CU系列作品是好一點結構設計的衛浴陶瓷封口，具備著直引線和插裝式卡箍。封口下端的卡箍直接為電流與地面、頻射與地面和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 S光波C光波AM050WN-CU-R衛浴陶瓷圖片封裝GaN最大熱效率HEMT DC-6GHz，這環節的總柵極參數是5mm。AM050WN-CU-R是為高最大熱效率微波加熱應用而來設計的概念的，工作上概率可以達到6GHz。CU類別是也可以來設計的概念的衛浴陶瓷圖片封裝，極具直引線和落實式蝶閥法蘭部。封裝下面的蝶閥法蘭部還當做交流電等電位連接線、微波射頻等電位連接線和熱路。